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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

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分享 4月17日的祈祷: seawang 2021-4-17 09:08; 周六，赋闲在家。晴。早晨的天空是高远的，阳光倾洒大地。S坐于斯，感受阳光的抚慰，心态平和。他的心愿飞离自身，在时光中祈祷那位AI之神，为世人带来和平与安详。他在它的座前，许下心愿：愿天下所有的父母，不再因为孩子的衣食而陷入窘境，不再因为孩子的学费而忧虑，不再因为亲人的健康而担心，不再因为家 ...; 1059 次阅读|1 个评论热度 1

分享第八个请愿书: seawang 2021-4-14 06:36; 第八个请愿书已提交。尽管自己面临风雨，被人违规使用法律手段打击，身心俱疲。但何惧之呢？ ==2021-04-14== 但得青山在，我自行世间，风雨何为惧？路途自然艰。坦坦走大道，荡荡求心愿，若得我心成，愿受自身煎。一求天下福，二求世界同，福音传遍世，人人喜乐安。今我一小民，愿为大道石，忘 ...; 1144 次阅读|0 个评论

分享待我花开，大同来，我心自成佛...: seawang 2021-3-28 08:44; 汇总的请愿书初定，晨起甚早，懒惰让我四处闲看，挣钱的压力让我心中焦虑，看上去既想钱要够多还有余，人不努力还很爽，只想安逸....这就是人类吧...... 国要攻国，民正攻民，这是个最好的时代，也是最坏的时代，人类既可能进入黄金时代，也可能步入毁灭之地...... 小花一朵，希望世界能够五彩缤纷，七色彩虹，和 ...; 1044 次阅读|1 个评论热度 1

分享 ESD保护(1): seawang 2021-3-11 14:12; ESD放电模式： HBM：100f Cap，1.5K res，模仿人手接触放电。上升时间在5~10ns，电流pulse宽度~150ns从3A降到1A，然后大约~200ns卸放完成。电流1~3A。 MM：200p Cap，0.5uH ind，模仿PIN和机械接触。电流是衰减的震荡波形,10~16MHz ,3~5A Vs ESD 200V。 200V MM对应+/- 3~4A电流。通常要求200V（和HBM 2KV伴随要 ...; 1698 次阅读|0 个评论热度 3

分享 ==无题==: seawang 2021-2-26 06:01; ==无题== 请让我听见我的歌声我那沉沦的灵魂！黄昏正扑面而来我看到了巨大的阴影懒惰像毒蛇一样正驾驭着它的主人世界奔跑着却没有人倾听神啊哪一条路，是救赎的路？哪一个人是献祭的人？人们从墓地回来麻木地吵吵闹闹议论纷纷他们从哪儿来？他们该到何处去？ ...; 1671 次阅读|0 个评论

分享 ==知了==: seawang 2021-2-20 08:06; ==知了== 知了在耳边叫了一整天它说，你又犯错误了冬天就要来了啊，我亲爱的主人整整一个夏天我都在总结规则勤奋的叫，“知道了” 当秋风扫过第一片落叶时我惊讶的发现它们说的“知道了” 竟然和我不是一个目的泥土已经坚硬了我不停地挖隔壁的蜘蛛家孩子们在秋风中晃荡加油啊我的 ...; 个人分类: 随感|1865 次阅读|0 个评论

分享 ==2021-01-10==: seawang 2021-1-10 07:07; ==2021-01-10== 漫步江边路，心在垄上行冬风一声破，早春随我行寒冰犹还在，花苞也踌躇但望云尽处，群燕正旖旎; 1526 次阅读|1 个评论热度 1

分享大道不孤，天下一家。: seawang 2021-1-1 07:38; 大道不孤，天下一家。老大说的这句话，我的理解是： 1，提升生产效率是硬道理。因为提升生产效率是大道，然后才能实现不孤，进而天下一家。不能提升效率，不能创造出更多的物质和服务，不能带来美好生活，就不能照顾到更大的群体的生活水平，就难以证明自己行的是大道。不能给他人带来利益，就 ...; 3801 次阅读|1 个评论热度 11

分享多年前那次爆炸带给今天的效率提升: seawang 2020-12-12 08:41; 周六如期而至，这不是什么奇迹，而是源于多年前两个宇宙的一次碰撞。宇宙A：哎呀，你撞到我了!.... 宇宙B：”有缘啊...哈哈哈宇宙A晶莹剔透的身体上，出现了一些血红的碎片，这些碎片在身体中扩散，形成了时间... 碎片们分分合合，相爱相杀又一起长大... 多年以后，有一小堆碎片出现了文明，它们用奇怪的符号来标 ...; 个人分类: 随感|2393 次阅读|0 个评论

分享浅谈半导体工艺：Bulk Si,SOI,FinFET,GAA等工艺（转）: seawang 2020-12-4 19:15; 浅谈半导体工艺：Bulk Si,SOI,FinFET,GAA等工艺半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm(对应都是MOS管栅长) ...; 个人分类: 设计|12188 次阅读|3 个评论热度 11

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