一篇关于Analog IC中失调的总结性文章:以运放为例 前言 最近这段时间一直在负责某个项目的debug工作,其中一个问题的核心原因是接收电路的输入失调电压过大造成,该接收电路是以op为核心器件构建的信号链电路,负责对信号进行放大、均衡等。这次debug经历对失调影响有了更深入的理解。这篇文章重新梳理了一下我对失调的 ...
基于以前自己开发过多个大型skill脚本,比如电流镜差分对的布局布线,icell模块的pcell器件开发,电路不同工艺间的porting,MOS器件的2D Align,以及几十个其他的小脚本。 在此前提下,突然想到自己以前从小白的无能为 ...
2.3结终端技术 (Junction Termination Technology,JTT ) : 结终端技术是通过 缓解或者避免电场集中效应 而提高耐压的技术。( 器件耐压一般由表面击穿电压决定 ) 横向功率集成器件的结终端技术: 一类是在主结附近 引入电荷 ,利用电荷产生的 附 ...
陈松涛又投入到激情的工作中,春节后的第一个工作日他就开启了加班模式。到家时已经晚上八点多。王丹谊学着妈妈的样子,把从家里带来的炸酥肉、炸豆腐、粉条等作为食材给陈松涛做了一碗烩菜,在上海延续过年的味道。 这座大都市的繁华从未停歇,简短的安宁之后又迅速恢复了忙碌的喧嚣,但这个喧嚣中却弥漫着忧虑和不确定 ...
2.2 功率器件的击穿机理 功率开关器件两特征:承受高反向击穿电压、大开态电流 击穿电压:器件在反偏电流急剧上升之前所能承受的最高阻断电压,大致分为雪崩击穿(可逆转)、热击穿(不可逆) 雪崩击穿:功率半导体器件工作 ...
2.1 可集成功率半导体器件: 功率器件分类:功率二极管、功率开关器件(晶体管/晶闸管) 功率二极管:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)、P-i-N二极管 肖特基势垒二极管是单极器件,依靠电子导电,开关频率高,无电导调制效应使其比导通电 ...
记性不好了,转载一个; 原文:http://blog.sina.com.cn/s/blog_96399a7e010132pf.html itf: interconnect technology format file tlu+: table look up plus for ICC Astro nxtgrd: star-rc need *.map file itf--tlu+ & ...
电迁移(EM)是一种分子位移,是由于导电电子和离子在一段时间内的动量转移而引起的。当电流密度较高时会发生这种现象,这会导致金属离子向电子流方向漂移。EM通常发生在多年之后。 由于电迁移效应,金属线可能会 断 裂并短路。EM会增加导线电阻,这会导致电压下降,从而导致设备降速。由于短路或开路,它还可能导致 ...
MIM电容是在俩层金属之间加一层CME的金属,正常俩层金属之间是用via孔进行连接,但是MIM电容俩层金属之间有CME,CME离其中一层金属很近,另一层金属和CME之间有VIA孔,如图所示:
当丁鹏、陈松涛和王丹谊到达火车站的那一刻,三个人才真正体会到春运的艰辛与快乐。 联排的帐篷已经搭起,把空旷的上海火车站南广场变成了室内空间,从入站口引出蜿蜒曲折的栅栏,往东西两个方向延伸。有慌慌张张的旅客拉着行李箱往前赶,似乎要错过即将驶向远方的列车;有三三两两结伴同行的伙伴在某个角落抽着烟、侃着 ...
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