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MOS管 V-I特性曲线模拟总结（理论部分）
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以nmos为例,总结了我在学习电路设计用到过的一些理论知识
首先，设计电路要保证mos管工作在正确的区域，一般为了使电路稳定，都会让MOS管工作在饱和区。
根据拉扎维的书 mos管分为了3个区，如下图所示
当Vgs小于Vth时，管子处于截止区，管子未导通，整个电路将没有电流；
当Vgs大于Vth，但Vds小于Vgs，只有gate和source端导通，Ids电流大小可由gate端电压控制，处于三极管区域；
当Vgs大于Vth，且Vds大于Vgs时整个管子都被导通，Ids基本不随Vgs的变化而变化，电流处于相对稳定状态。
其次，一些重要参数计算用到的公式
工作在饱和区可以使用以下公式
Id.max=(1/2)μC(W/L)(Vgs-Vth)2 ①
gm=μC(W/L)(Vgs-Vth) ②
gm是Id对Vgs求导得到的，所以记住①，②也能推导出来。
从公式中我们可以看出来MOS的性能与自身工艺参数μC有关，我们在设计电路时能改变的参量W,L与Vgs
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