主要分为一下几个部分

1. 电路原理与性能参数指标

2. 设计过程

3. testbench电路与仿真结果

一.电路原理与性能参数指标

1.电路原理图

选取理由：

1).结构简单，第一级为NMOS作输入对的五管差分放大器，第二级为PMOS的共源级放大器。

2).选NMOS作输入对的理由：假如选用PMOS作输入对，上面的电流源压降设为0.2V，当输入为2.5V时，VSG为0.6V，近似PMOS的阈值电压，可能进入亚阈区或者截止区。

3).选PMOS的共源放大器，是为了能够保证共模匹配。

2.米勒补偿

无补偿的运算放大器稳定性很差！

在第一级和第二级之间加入米勒补偿电容后：

加入米勒补偿电容后，稳定性大大改善，但同时引入了一个右半平面的零点，影响稳定性。

设法消除右半平面的影响：

       这种方法不增加功耗，同时电阻阻值也并不需要很精确，因为通过调节R0的阻值将零点移到无穷远、左半平面或者直接与极点相抵消都可以消除零点的影响。

3.搭建的电路图与symbol(方便后面的测试）

4.性能指标（工艺库为XA035）

二.设计过程

参数汇总结果：

米勒电容：5pF      调零电阻：840Ω

初步仿真发现四条电压过大，从新调整后的最终参数：

米勒电容：6pF      调零电阻：800Ω

三.testbench电路与仿真结果

1.相位裕度与增益带宽积（stb仿真，扫描1~1GHz）

左边是电源电压为3.3V时的PM和GBW，右边是3.0V时的PM和GBW。

运放的频率特性图（VDD=3.3V），可以看出DC Gain=95dB

工艺角仿真：

       由于加工工艺的偏差，MOSFETs等器件的工艺参数变化很大，为减轻设计困难便引入工艺角（Process Corner），以MOS器件为例，其思想是把NMOS和PMOS的速度波动范围限制在由4个角所确定的矩形内（分别为快-快，快-慢，慢-快，慢-慢，在加上typical-typical一共五个角），具体参见拉扎维。

电源电压为3.3V，仿真-40、25、125℃的工艺角，其中电容电阻各三个角，MOS五个角，一共135个角，PM和GBW都过指标

2.功耗：973uA＜1mA

3.共模电压输入范围：1.5~2.5V稳定性都达标

4.失调电压：-2.598mV~2.41mV

    电源电压为3.3V，仿真-40、125℃的蒙特卡洛仿真。每个温度500个点，共1000个

5.压摆率：SR=22.48＞20V/uS

       指大信号情况下运放的输入端接入较大的阶跃信号，输出信号波形也会发生大的变 化（会发生截至或者饱和）。输出电压变化对时间的比值叫做压摆率

6.电源抑制比：

    定义为差模增益与差模输入为0时电源纹波到输出的增益比值。物理意义即衡量电源纹波转换到等效差模输入的大小。

7.共模抑制比：

    定义为差模增益与差模输入为0时共模到输出的增益比值。物理意义即衡量共模输入转换到等效差模输入的大小。

结束！

目前刚上研一，还菜得很，多多学习多多交流。发个帖子来纪念一下自己的学习过程。