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日志

9926mos管SOP-8双N通道增强模式场效应晶体管

已有 486 次阅读2018-7-31 15:35 |系统分类:芯片设计

9926mos管是性能高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷9926mos管符合RoHS和绿色产品要求,并获得全面的功能可靠性认证。

9926mos管先进的高单元密度沟槽技术z超低栅极电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用,双N沟道场效应管,VDS=20VIDS=6APD=2W

9926低压mos绝对最大额定值

湾脉冲测试脉冲宽度300μs,占空比≤2%,超出“绝对最大额定值”下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏,这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下超出规范操作部分所述的条件,暴露于绝对最大值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。

骊微电子专注于各品牌DIP直插、SMD贴片集成电路IC,电源管理,二三极管,肖特基及快恢复,可控硅,整流桥堆等电子元器件,承接厂家BOM物料清单配套服务!

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