XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。
 
XRAM是一种基于先进的DRAM工艺，再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新DRAM两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特点：
• 成本 同等条件下晶圆面积节省30% ，晶圆产出预估可以增加25%
• 速度, 数据读取延时达到10ns级，相比DRAM要快10倍
• 存储密度, 单片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存储阵列损耗减少40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，完全随机访问，提高总线利用率
• 高可靠性，支持-40~125摄氏度环境温度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能16M CMOS国产SRAM存储器芯片，组织为1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持异步SRAM存储芯片接口。
 

 
XM8A01M16V33A特征
•异步XRAM芯片内存
•高速访问时间
•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz时为75 mA
•低CMOS待机电流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
•取消选择时自动掉电
•TTL兼容的输入和输出
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装
 
星忆存储专注于XRAM产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。星忆存储代理商英尚微电子支持提供驱动、例程、必要的FAE支持等技术支持。

XM8A01M16V33(16M).pdf