铁电随机存储器FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM主要结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。非易失性内存是苛刻环境下具备高可靠性的汽车和工业应用的理想之选。
 
富士通去年发布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高至4M bit，满足用户对更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。
 
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。
 
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

 
关键规格
组件型号：MB85RS4MT
容量（组态）：4Mbit（512Kx8位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
运作频率：最高50MHz
运作电压：1.8V-3.6V
运作温度范围：-40°C-+125°C
读/写耐久性：10兆次（1013次）
封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
 
这款全新富士通铁电RAM是非易失性内存产品，高温125℃的环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。
 
由于这款FRAM存储器工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
 
这款全新FRAM在-40℃至+125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。

 
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

富士通Serial FeRAM