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三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

已有 767 次阅读| 2020-1-21 16:09 |个人分类:everspin非易失性MRAN|系统分类:嵌入式| EVERSPIN, STT-MRAM, MRAM

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。

随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。

MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍，此外其制作工艺要求低，产品良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远远超传统RAM。

报道称三星也正在改善1Gb MRAM寿命问题，除了支持长达10年的存储年限之外，在105℃的温度也可完成1亿次读写，在85℃下则可增加至100亿次读写，在正常工作环境中，则有望达到1兆次读写。目前以MRAM为代表的新型存储已经发展到了关键阶段，是否能成为取代NAND闪存的下一代存储器介质除了材料和工艺的不断的完善之外，构建完善器件的技术生态系统同样是十分关键的。相信在市场需求的引导以及各大厂商的推动下，存储产品一定朝着性能更高以及容量更大以及成本更优的方向发展。

致力于生产MRAM存储器的EVERSPIN在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Everspin在数据中心在汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM的产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。